Optical properties of three-dimensional InGaPAs islands formed by the method of substitution of elements of V group

Аннотация

Методами спектроскопии фотолюминесценции выполнено исследование оптических свойств трехмерных квантово-размерных островков InGaPAs, сформированных методом замещения фосфора на мышьяк в слое InGaP, осажденном на GaAs непосредственно в процессе эпитаксиального роста. Линия фотолюминесценции сформированного массива островков лежит в диапазоне 950-1000 нм при комнатной температуре. Исследования фотолюминесценции ФЛ в диапазоне температур 78-300К свидетельствуют о существенной неоднородности массива островков, наличии центров безызлучательной рекомбинации и транспорте носителей между островками. На спектрах возбуждения люминесценции наблюдается линия, связанная с поглощением в остаточном двумерном слое InGaPAs. Применение отжига структур позволило увеличить интенсивность фотолюминесценции ФЛ при комнатной температуре до 300% при незначительном коротковолновом сдвиге линии излучения островков, а также улучшить однородность внутри массива островков.