ЗАКОНОМЕРНОСТИ ТЕМПЕРАТУРНЫХ ИЗМЕНЕНИЙ СПЕКТРОВ ОТРАЖЕНИЯ ИНФРАКРАСНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛА Bi0,8Sb1,2Te3 В ОБЛАСТИ ВОЗБУЖДЕНИЯ ПЛАЗМЕННЫХ КОЛЕБАНИЙ СВОБОДНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА И МЕЖЗОННЫХ ПЕРЕХОДОВ

Аннотация

Закономерности температурного поведения спектров отражения кристалла Bi_0,8Sb_1,2Te₃, полученных в диапазоне проявления плазменного резонанса свободных носителей заряда и края фундаментального поглощения, позволяют проследить за изменением энергии плазмона Е_р и оптической ширины запрещенной зоны E_{g opt}. Наблюдаемое уменьшение E_{g opt} с ростом температуры, соответствует существующим представлениям о перераспределении дырок между неэквивалентными экстремумами валентной зоны в кристаллах (Bi_2-хSb_х)Te₃ (0<х<1). Доминирование этого процесса в определенной области температур, вносит вклад в изменение плазменных частот, удельной электропроводности и коэффициента Холла.