Фотодинамика переноса возбуждения носителями заряда в гибридной наносистеме InP/InAsP/InP

Аннотация

Приведены результаты обработки кинетических зависимостей люминесценции гибридной полупроводниковой наноструктуры InP/InAsP/InP с нанесёнными коллоидными слоями квантовых точек CdSe/ZnS при возбуждении на длинах волн 532 nm, 633 nm, и температурах 80К, 300 К. Такая наноструктура отмечена значительным увеличением длительности и интенсивности люминесценции нановставки InAsP . Механизм увеличения предположительно связывается с взаимодействием коллоида квантовых точек CdSe/ZnS -ТОРО с поверхностью InP, что ведет к образованию в запрещенной зоне новых гибридных состояний, энергетически близких к излучающему состоянию, и способных захватывать электроны, что в свою очередь компенсируется возрастающей ролью процесса «обратного переноса», приводящего к росту длительности излучательной рекомбинации