Влияние режимов импульсного лазерного отжига на оптические свойства кремния, гипердопированного селеном

Ключевые слова: кремний, гипердопирование, имплантация селена, лазерный отжиг, примесная подзона, поглощение и отражение света

Аннотация

Слои кремния, легированные селеном до концентраций 4÷6·1020 cm–3, что на 4 порядка величины превышает предел равновесной растворимости этой примеси, получены ионной имплантацией с последующим импульсным лазерным отжигом (ИЛО) при плотностях энергии в импульсе W = 0.55; 0.8; 1.0; 1.5; 2.0 и 2.5 J/cm2. Методом обратного резерфордовского рассеяния ионов гелия показано, что до 60–70% внедренной примеси находится в позиции замещения в решетке кремния. Слои, гипердопированные селеном, проявляют существенное поглощение (36–40%) в области длин волн 1100–2400 nm. Проведено сравнение спектров поглощения слоев кремния в зависимости от режимов лазерного отжига. Показано, что отжиг при W = 2.0 J/cm2 является оптимальным с позиции максимального структурного совершенства гипердопированных слоев кремния. Данный фактор очень важен для применений сформированных структур в фотодетекторах и элементах солнечной энергетики. В то же время поглощение в видимом и ближнем ИК-диапазонах длин волн достигает максимального значения после отжига при W = 1.0 J/cm2 и практически не меняется при дальнейшем увеличении плотности энергии в импульсе.

Биография автора

Ирина Николаевна Пархоменко, Белорусский государственный университет

Ведущий научный сотрудник НИЛ материалов и приборных структур микро- и наноэлектроники кафедры физической электроники и нанотехнологий Белорусского государственного университета

Опубликован
2021-05-12