Фотоиндуцированный перенос заряда в слоистых 2D наноструктурах PbSe-MoS2
Аннотация
Полупроводниковые 2D наноструктуры являются новой платформой для создания
современных оптоэлектронных устройств. Созданы слоистые 2D наноструктуры PbSeMoS2, в которых наблюдается эффективный фотоиндуцированный перенос заряда от
нанопластин (НП) PbSe к MoS2. При осаждении НП PbSe с короткими органическими
лигандами на тонкий слой НП MoS2 наблюдается сокращение интенсивности
фотолюминесценции НП PbSe и сокращение среднего времени жизни
фотолюминесценции. При освещении слоистой 2D наноструктуры PbSe-MoS2 ИК
излучением появляется фототок, что свидетельствует о вкладе НП PbSe в электрический
отклик системы. Ультратонкие слои дихалькогенидов переходных металлов,
сенсибилизированные наноструктурами на основе халькогенидов свинца, могут быть
использованы в фотодетекторах с расширенной в ближний ИК диапазон областью
спектральной чувствительности.