Фотоиндуцированный перенос заряда в слоистых 2D наноструктурах PbSe-MoS2

  • Иван Дмитриевич Скурлов Университет ИТМО
  • Петр Сергеевич Парфенов
  • Анастасия Всеволодовна Соколова
  • Данила Александрович Татаринов
  • Антон Анатольевич Бабаев
  • Михаил Александрович Баранов
  • Александр Петрович Литвин
Ключевые слова: нанопластины, дихалькогениды переходных металлов, перенос заряда, ближний инфракрасный диапазон

Аннотация

Полупроводниковые 2D наноструктуры являются новой платформой для создания
современных оптоэлектронных устройств. Созданы слоистые 2D наноструктуры PbSeMoS2, в которых наблюдается эффективный фотоиндуцированный перенос заряда от
нанопластин (НП) PbSe к MoS2. При осаждении НП PbSe с короткими органическими
лигандами на тонкий слой НП MoS2 наблюдается сокращение интенсивности
фотолюминесценции НП PbSe и сокращение среднего времени жизни
фотолюминесценции. При освещении слоистой 2D наноструктуры PbSe-MoS2 ИК
излучением появляется фототок, что свидетельствует о вкладе НП PbSe в электрический
отклик системы. Ультратонкие слои дихалькогенидов переходных металлов,
сенсибилизированные наноструктурами на основе халькогенидов свинца, могут быть
использованы в фотодетекторах с расширенной в ближний ИК диапазон областью
спектральной чувствительности.

Опубликован
2021-11-25