Датчик температуры на основе одномерного фотонного кристалла с дефектом
Ключевые слова:
датчик температуры, фотонный кристалл, фотонная запрещенная зона, передаточная матрица
Аннотация
Представлены результаты численного моделирования оптических свойств одномерного (1D) фотонного кристалла с дефектом на основе слоев полупроводник-диэлектрик. В качестве полупроводника рассматривались кремний и германий. Изучено влияние температуры на спектральное положение полосы пропускания дефекта. Показано, что для фотонного кристалла на основе кремния температурная чувствительность фотонного кристалла составляет 0.07 нм/К и 2.6 дБ/К, в зависимости от метода измерений. Для фотонного кристалла на основе германия – 0.37 нм/К и 7.8 дБ/К. Это делает данные фотонные кристаллы перспективными для использования в датчиках температуры в качестве чувствительного элемента.
Опубликован
2022-08-15
Раздел
Статьи
