РЕНТГЕНОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ СВОЙСТВА ПЛЕНОК ОКСИДА ЦИНКА НА М И А-ПЛОСКОСТИ САПФИРА

  • Иван Дмитриевич Веневцев Санкт-Петербургский Политехнический университет Петра Великого https://orcid.org/0000-0002-9420-0278
  • Арсен Эмирбегович Муслимов ФНИЦ “Кристаллография и фотоника” РАН
  • Андрей Петрович Тарасов ФНИЦ “Кристаллография и фотоника” РАН
  • Лейла Ливоуддиновна Эмирасланова Дагестанский государственный университет
  • Абубакар Магомедович Исмаилов Дагестанский государственный университет
  • Василий Михайлович Каневский ФНИЦ “Кристаллография и фотоника” РАН
Ключевые слова: пленки, микрокристаллы, оксид цинка, рентгенолюминесценция, фотолюминесценция, экситонное излучение

Аннотация

Представлены результаты сравнительных исследований процессов высокотемпературного синтеза, люминесцентных и сцинтилляционных характеристик пленок ZnO на подложках сапфира М(100)- и А(110)-ориентаций. Показано, что использование метода магнетронного осаждения позволяет формировать, на фоне сплошной пленки, ансамбли индивидуальных [001]-микрокристаллов ZnO с выраженными рентгенолюминесцентными свойствами. Кинетика рентгенолюминесценции характеризуется двумя компонентами: быстрой компонентой со временем спада порядка наносекунды и длинным плечом медленной люминесценции. Исследование пленок методом фотолюминесцентной спектроскопии выявило особенности спектров краевой люминесценции образцов, в частности, присутствие различных экситонных каналов излучения. Обнаружены и интерпретированы различия в спектральных параметрах полосы краевой люминесценции в случае оптического и рентгеновского типов возбуждения