ВЛИЯНИЕ ТЕРМИЧЕСКОГО ОТЖИГА НА ГАММА-ИНДУЦИРОВАННЫЕ ЦЕНТРЫ ОКРАСКИ И АКТИВАТОРНОЕ СВЕЧЕНИЕ В СЦИНТИЛЛЯТОРНЫХ КРИСТАЛЛАХ Lu2SiO5:Ce

Abstract

Оксиортосиликат лютеция, легированный церием Lu₂SiO₅:Ce, используется как сцинтиллятор для регистрации ядерных излучений. Однако после гамма облучения (⁶⁰Co) высокой дозой 5·10⁶ Gy при 310 K выход гаммалюминесценции (ГЛ) снижается на 25%. Для выяснения причин и механизма этого снижения в данной работе исследованы изохронный термический отжиг наведенных оптических центров окраски и восстановление активаторного свечения в интервале температур от 373 до 773 K в воздухе. Показано, что после облучения наряду с полосами 238 (F-центр), 263 (Се³⁺/Се⁴⁺) и 293 nm (Се³⁺/F⁺) также регистрируется полоса поглощения 430 nm, которая предположительно связана с дефектным Ce⁴⁺+V_O – центром и ответственна за желтую окраску и снижение ГЛ в полосах 399 и (Сe1-центр) и 450 nm (Ce2-центр). При температурах> 573 K F-центры и Се⁴⁺+V_O 420 nm комплексы отжигаются и ГЛ восстанавливается до исходного уровня, что связано с миграцией междоузельного кислорода к его вакансиии  залечиванием радиационных дефектов.