Longwave (λ0.5 = 9 - 15 μm) IR photodetectors based on InAsSbx solid solution (0.3 < x < 0.45) (ФизикА.СПб)

Роман Эдуардович Кунков; Александр Алексеевич Климов; Наталья Михайловна Лебедева; Татьяна Сергеевна Лухмырина; Борис Анатольевич Матвеев; Максим Анатольевич Ременный; Анна Александровна Усикова

Роман Эдуардович Кунков "Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе" РАН
Александр Алексеевич Климов "Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе" РАН
Наталья Михайловна Лебедева "Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе" РАН
Татьяна Сергеевна Лухмырина "Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе" РАН
Борис Анатольевич Матвеев "Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе" РАН
Максим Анатольевич Ременный "Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе" РАН
Анна Александровна Усикова "Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе" РАН

Abstract

This paper presents the results of the study of photoelectric properties of photodetectors based on diode heterostructures based on InAsSb_x solid solutions (0.3 < x < 0.45) with a longwave cut-off λ_0.1 about 10.5 μm. The dependences of dark current density and detectivity in the temperature range 200 - 425 K were investigated. It was shown that the experimental samples are characterized by values of dark current density about 500 A/cm² at room temperature, detectivity 1.2E9 and 5E9 cm∙Hz^1/2∙W^-1 at room temperature and 250 K, respectively, and diffusion mechanism of current flow up to 200 K.