Longwave (λ0.5 = 9 - 15 μm) IR photodetectors based on InAsSbx solid solution (0.3 < x < 0.45) (ФизикА.СПб)

  • Роман Эдуардович Кунков "Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе" РАН
  • Александр Алексеевич Климов "Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе" РАН
  • Наталья Михайловна Лебедева "Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе" РАН
  • Татьяна Сергеевна Лухмырина "Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе" РАН
  • Борис Анатольевич Матвеев "Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе" РАН
  • Максим Анатольевич Ременный "Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе" РАН
  • Анна Александровна Усикова "Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе" РАН

Аннотация

This paper presents the results of the study of photoelectric properties of photodetectors based on diode heterostructures based on InAsSbx solid solutions (0.3 < x < 0.45) with a longwave cut-off λ0.1 about 10.5 μm. The dependences of dark current density and detectivity in the temperature range 200 - 425 K were investigated. It was shown that the experimental samples are characterized by values of dark current density about 500 A/cm2 at room temperature, detectivity 1.2E9 and 5E9 cm∙Hz1/2∙W-1 at room temperature and 250 K, respectively, and diffusion mechanism of current flow up to 200 K.

Опубликован
2024-01-08