TWO-SPECTRAL METHOD OF LASER-STIMULATED OXIDATION OF THE POROUS SILICON LAYER

Аннотация

Описывается новый метод фотонно-стимулированной обработки поверхности полупроводника: метод двухспектрального лазерно-стимулированного окисления слоя пористого кремния. Приводятся результаты исследования оптических свойств  слоя  лазерно-окисленного нанопористого кремния в спектральной полосе 2 – 17 mkm. Исследуемый слой нанопористого кремния был сформирован электролитическим травлением поверхности монокристаллического кремния КДБ-10, ориентации  (100) по стандартной методике. Плотность  анодного травления составила 25.0 mA/sm². Лазерно-стимулированное окисление слоя нанопористого кремния проводилось с помощью воздействия на поверхность двух длин лазерного излучения неодинаковой интенсивности: на основной длине волны 1.064 mkm с помощью DPSS лазера ИАГ:Nd, работающего в импульсном режиме. Длина волны лазера для режима фотонно-стимулированного ассестирования составляла 980 nm, 520 nm и 405 nm.