УПРАВЛЕНИЕ ВРЕМЕНЕМ ЖИЗНИ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК ПУТЕМ ИНЖИНИРИНГА СТРУКТУРЫ ИХ ОБОЛОЧЕК

Павел Сергеевич Самохвалов; Александр Викторович Караулов; Игорь Руфаилович Набиев

Павел Сергеевич Самохвалов Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
Александр Викторович Караулов Лаборатория иммунопатологии, Лаборатория иммунопатологии, Кафедра клинической иммунологии и аллергологии Сеченовского университета, ул. Трубецкая, д. 8, стр. 2, 119992 Москва, Российская Федерация
Игорь Руфаилович Набиев Лаборатория по исследованиям в области нанонаук, LRN-EA4682, Университет Реймса, Шампань-Арденны, 51100 Реймс, Франция

Ключевые слова: полупроводниковые нанокристаллы, квантовые точки, оболочка, фотолюминесценция, флуоресценция, время жизни

Аннотация

Полупроводниковые нанокристаллы квантовые точки (КТ) имеют выдающиеся характеристики фотолюминесценции (ФЛ): квантовый выход ФЛ, достигающий 100%, малую ширину полосы испускания ФЛ, и высокую яркость излучения. Благодаря этим свойствам КТ имеют большие перспективы применения в оптоэлектронике, квантовых технологиях и биомедицинских приложениях. Время жизни ФЛ является одной из важнейших характеристик КТ и определяющим параметром для их применимости во многих специфических областях науки и техники. Несмотря на то, что для КТ различного химического состава и структуры эта характеристика может варьироваться в широких пределах, для наиболее распространенного типа КТ на основе ядер CdSe эта величина редко превышает 30 ns. В настоящей работе предложен эффективный метод увеличения времени жизни ФЛ квантовых точек путем создания на поверхности ядер CdSe градиентной оболочки, создающей потенциальную яму для возбужденных носителей зарядов. Применение такого подхода позволило изготовить КТ, имеющее среднее время ФЛ около 100 ns, что более чем в три раза превосходит этот параметр для лучших образцов таких материалов, опубликованных в литературе.